실온에서 입방 GaN/In0.16Ga0.84N/GaN 양자 함정의 내부 양자 효율은 32% 에 달한다
현재 백색 LED의 이론적 광 효과는 255 lm/W에 불과합니다.최종 고체 조명 노선은 형광 파우더가 없는 블루라이트, 그린라이트, 레드라이트 LED를 색상 혼합해 408 lm/W의 광효과를 내는 것이다.그러나 적절한 녹색 광 LED (즉, green gap, 녹색 광 효율 부족) 가 부족하기 때문에이 방법은 한계에 봉착했습니다.
최첨단 6자 (즉, 섬아연광) III족 질소화물 그린라이트 LED는 미국 에너지부의 2025년과 2035년 전광전환 효율 목표의 절반과 3분의 1에 불과하다.입방 (In) GaN 재료는 고체 조명에서 우위를 가지고 있다는 점이 이론과 실험에서 충분히 증명되었기 때문에 입방 (즉, 섬아연광) III 족 질소화물을 사용하여 녹색 광효율 부족 문제를 해결할 수 있다.그러나 입방 GaN 재료는 타성을 가지고 입방상의 품질과 순도에 영향을 미치기 때문에 입방 부품의 실제 효율은 줄곧 낮았다.
일리노이 대학의 Jaekwon Lee와 Can Bayram은 Applied Physics Letters에서 내부 양자 효율 (IQE) 은 32.0 ± 0.6%, 인듐 함량은 16.0 ± 1.6% 인 녹색 광 큐브 III 족 질소 유원층을 보고했습니다.
문헌보고의 3C-SiC의 전통적인 립방유원층을 비교해보면 립방GaN/In0.16Ga0.84N/GaN의 효률이 6배 이상 높으며 인듐함량이 전통적인 육방록광LED보다 약 30% 낮다.
이 성과는 고품질의 순수 입방 GaN 상단과 입방 III족 질소화물 특유의 넓은 양자 함정 설계를 실현한 종횡비 함정 기술 덕분이다.
총적으로 일리노이대학팀은 록광발광효률이 가장 높은 립방III족 질소화물유원층을 전시했는데 그 수준은 이미 성숙된 6방유원층과 비슷하여 고체조명의 록광효률부족점을 메울수 있다.